MENTO-M series是一种拥有分离型真空腔的R2R镀膜设备,可以根据性能进行更换,能够有效提升多层连续镀膜以及产品生产工艺的效率。基本的真空腔主要由unwinder, process 和rewinder组成, 根据产品生产时对设备的要求可以通过multi process真空腔扩大process区间。
产品规格 | Application Products
AT(株)所生产的MENTO-M series设备能够实现金属物质或者活性材料的双重连续镀膜,可以运用到不同产品之中。
IT 部门 | IM-ITO膜和金属网触摸显示金属布线和阻挡膜热块 |
能源 行业 | 窗膜,薄膜太阳能电池,可充电电池的Li 2电子领域效率FCCL,电磁波屏蔽膜 |
电子器件板块 | 高效率FCCL,电磁波屏蔽过滤器 |
其他行业 | 基于多层薄膜沉积室内覆盖的应用 |
设备规格 | System Specifications,
AT(株)的R2R镀膜设备可以根据顾客所需求的规格进行制造,能够在最大程度上提升产品生产的效率。以下是设备制造以及供应时的基本规格。
Chamber 表 | unwinder | Rectangular type | ||
process | Circular type | |||
rewinder | Rectangular type | |||
基于应用程序 | PET, PI, 吉他 Flexible polymer 膜和金属膜 | |||
Core 尺寸 | 3英寸, 6英寸 | |||
规格描述 | 幅 | 长短 | 厚度 (polymer) | 厚度 (金属) |
Max. 1,350㎜ | Max.ø550㎜ | Min. 23㎛ | 100㎛ ~ 400㎛ | |
行驶速度 | Max. 20m/min | |||
预处理方法 | 预加热 | Max. 200℃ | ||
等离子表面处理 | DC, Pulse DC 等离子表面处理, Linear ion beam source | |||
沉积源 | Sputter source | Single planar cathode / Dual planar cathode Single rotary cathode / Dual rotary cathode |
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Thermal source | Crucible, E-beam | |||
辅助等离子体源 | Plasma assist source | |||
沉积材料 | 金属材料 | Al, Ti, Cr, Cu, NiCr, Ni, Ag 等金属材料 | ||
活性物质 | TiO2, Nb2O5, SiO2, ITO, SiAlOx, MoOx 其他氮化物/氧化物材料 | |||
Power supply | DC, Pulse DC, MF | |||
Pump | 在选择合适的泵设备的要求 | |||
测量仪器 | 表面电阻,光(传输,反射,色差计),等离子体发射显示器, RGA | |||
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